全稱顯存，基本和主板上的內存壹樣，分為幀緩存和素材緩存，通常用來存儲顯示芯片(組)處理的數據信息和素材信息。當數據經過顯示芯片處理後，會被傳送到顯存中，然後RAMDAC會從顯存中讀取數據，將數字信號轉換成模擬信號，最後輸出到顯示屏上。所以顯存的速度和帶寬直接影響顯卡的速度。即使妳的圖形芯片很強，如果板載顯存達不到要求，處理後的數據無法即時傳輸，那麽妳也無法獲得滿意的顯示效果。顯存的容量和速度直接關系到顯卡的性能，高速顯卡芯片的容量相應更高，所以顯存的質量也是衡量顯卡的重要指標。評價壹塊內存的性能，主要從內存類型、工作頻率、封裝、內存位寬等方面進行分析。
2.記憶
存儲器的工作原理
1.存儲器編址
第壹，當內存從CPU得到查找壹些數據的指令，然後找出訪問數據的位置(這個動作叫做“尋址”)時，先確定橫坐標(即列地址)，再確定縱坐標(即行地址)，就像在地圖上畫十字標記壹樣，非常準確地確定了這個地方。對於計算機系統來說，找到這個地方需要確定位置是否正確，所以計算機還必須解釋這個地址的信號，橫坐標的信號(即RAS信號，行地址選通)和縱坐標的信號(即CAS信號，列地址選通)，最後讀或寫。所以讀寫內存至少要有五個步驟:畫壹個十字(有兩次尋址的操作和兩次讀地址的信號，四次* * *)和要麽讀要麽寫來完成內存訪問操作。
2.轉儲
為了存儲數據或從內存中讀取數據，CPU會對這些讀取或寫入的數據進行尋址(也就是我們所說的交叉尋址)。這時CPU會通過地址總線把地址送到內存，然後數據總線把相應的正確數據送到微處理器，送回CPU使用。
3.存取時間
所謂訪問時間是指CPU在內存中讀取或寫入數據的過程時間，也稱為總線周期。以閱讀為例。當命令從CPU發送到內存時，它將要求內存訪問特定地址的特定數據。內存響應CPU後，會將CPU需要的數據發送給CPU，直到CPU接收到數據，就變成了壹個讀取的過程。所以這整個過程簡單來說就是CPU給出壹個讀指令，壹個內存回復指令，把數據扔給CPU的過程。我們常說的6ns(納秒，秒-9)是指上述過程所花費的時間，ns是計算過程的時間單位。我們通常用訪問時間的倒數來表示速度。比如6ns內存的實際頻率是1/6 ns = 166 MHz(如果是DDR的話就是DDR333，DDR2是DDR2 667)。
4.記憶延遲
內存的延遲時間(也就是所謂的延時，從FSB到DRAM)等於以下時間的積分:FSB和主板芯片組之間的延遲時間(1個時鐘周期)，芯片組和DRAM之間的延遲時間(1個時鐘周期)，RAS到CAS: RAS的延遲時間(2-3個時鐘周期確定正確的行地址)。CAS延遲時間(2-3個時鐘周期，用於確定正確的列地址)，另外，傳輸數據需要1個時鐘周期，數據從DRAM輸出緩沖區經過芯片組到CPU的延遲時間(2個時鐘周期)。壹般來說，存儲器延遲涉及四個參數:CAS(列地址選通)延遲、RAS(行地址選通)到CAS延遲、RAS預充電(RAS預充電電壓)延遲、Act到預充電(數據讀取時間相對於時鐘下沿)延遲。其中CAS時延比較重要，它反映了從接收指令到完成傳輸結果的過程中的延遲。在妳平時看到的數據3-3-3-6中，第壹個參數是CAS延遲(Cl = 3)。當然，延遲越小，速度越快。
妳的記憶是128。理論上可以插任何256內存，但不能保證兼容。最好買兩個128的內存插頭，而且壹定要和妳電腦裏的內存是壹個牌子的，不然可能會出現不兼容的情況。我的幾個朋友因為內存不兼容，買了新的內存條。
3、硬盤緩存
我們經常從老鳥口中聽到硬盤內部數據傳輸速率和外部數據傳輸速率這些術語。所謂內部數據傳輸速率是指數據從磁盤到緩存的速度，而外部數據傳輸速率又稱為突發數據速率，是指數據從硬盤緩存到系統主存的速度。因為內部傳輸速率小於外部傳輸速率，所以在與外部總線交換數據時，硬盤需要緩存為速度適配器(如圖2所示)。
在讀取數據的過程中，硬盤的控制芯片發送指令，將系統正在讀取的簇的下壹個簇或多個簇的數據寫入高速緩存。當系統指令開始讀取下壹簇的數據時，硬盤不需要再次開始讀取操作，只需要將緩存中的數據轉移到系統主存中即可。因為從硬盤緩存到系統主存的數據傳輸是電子化的，速度比硬盤讀取所需的機械動作要快得多。而光盤上數據的存儲是比較連續的，所以預讀的命中率很高。同樣，在向硬盤寫入數據的過程中，數據會先從系統主存寫入緩存。當這個操作完成後，系統將轉到下壹個讀寫指令，而不需要等待緩存中的數據寫入磁盤。可以看出，高速緩存容量的增加允許容納更多的預讀/寫數據，從而減少了系統的等待時間。
硬盤緩存的容量和速度與接口帶寬密切相關:在Ultra ATA-33時代，硬盤的緩存容量從128KB/256KB增加到512KB，Ultra ATA-66問世後，2MB緩存迅速成為主流。在Ultra ATA-100即將被SATA取代的今天，8MB緩存當然不稀奇。如果只看緩存芯片，8MB和2MB的成本差占整個硬盤的比例很小，但技術上是不壹樣的。首先，我們應該防止緩存中的數據丟失。當緩存芯片中還有未寫入的數據時，硬盤突然斷電，磁頭要憑借慣性將這些數據寫入零磁道外的臨時存儲區，下次啟動時再寫入它們原來的目的地。可以想象，硬盤的緩存越大，對外環的軌道線密度要求就越高。僅僅解決數據丟失的問題是不夠的，還要讓增加的6MB緩存發揮應有的作用——4倍的緩存容量需要更有效的算法，否則效率會急劇下降。可喜的是，目前使用8MB緩存的硬盤性能比同系列的2MB版本更高，說明上述問題已經得到了很好的解決。