1，晶圓材料
矽片的成分是矽，是從石英砂中提煉出來的。矽片經矽元素(99.999%)提純，制成矽棒，成為制造集成電路的應時半導體材料。芯片是芯片制造所需的特定晶片。晶圓越薄，生產成本越低，但對工藝的要求越高。
2.晶片塗層
晶圓塗層可以抗氧化和耐高溫，其材料是光刻膠。
3、光刻、顯影和刻蝕晶片
1，晶圓材料
矽片的成分是矽，是從石英砂中提煉出來的。矽片經矽元素(99.999%)提純，制成矽棒，成為制造集成電路的應時半導體材料。芯片是芯片制造所需的特定晶片。晶圓越薄，生產成本越低，但對工藝的要求越高。
2.晶片塗層
晶圓塗層可以抗氧化和耐高溫，其材料是光刻膠。
3、光刻、顯影和刻蝕晶片
首先，在晶片(或襯底)表面塗覆壹層光刻膠並幹燥。幹燥的晶片被轉移到掩模對準器。光線通過掩膜版，將掩膜版上的圖案投射到晶圓表面的光刻膠上，實現曝光和化學發光反應。曝光後的晶圓經過兩次烘烤，也就是所謂的後曝光烘烤，烘烤後的光化學反應更加充分。
最後，將顯影劑噴灑在晶片表面的光致抗蝕劑上，以形成曝光圖案。顯影後，掩模上的圖案保留在光致抗蝕劑上。塗膠、烘焙、顯影都是在同質顯影液中完成，曝光是在光刻機中完成。壹般情況下，均質機和光刻機都是在線操作的，通過機器人在單元和機器之間轉移晶片。
整個曝光顯影系統是封閉的，晶圓不直接暴露在周圍環境中，減少環境中有害成分對光刻膠和光化學反應的影響。
4.添加雜質
相應的P和N半導體是通過將離子註入晶片中形成的。
具體工藝是從矽片上曝光的區域開始，放入化學離子混合物中。這個過程會改變摻雜區的導電模式，使得每個晶體管都可以導通、關斷或攜帶數據。簡單的芯片只能用壹層，復雜的芯片通常有很多層。
此時不斷重復這個過程，打開窗口就可以連接不同的層。這類似於多層pcb的制造原理。更復雜的芯片可能需要多層二氧化矽層。此時通過重復光刻和上述過程實現，形成三維結構。
5.薄餅
在上述處理之後，在晶片上形成晶格顆粒。用針法測試每個藥柱的電性能。壹般來說，每個芯片都有大量的晶粒，組織壹個引腳測試圖案是壹個非常復雜的過程，需要盡可能的批量生產相同規格型號的芯片。數量越大，相對成本越低，這也是主流芯片設備成本低的壹個因素。
6、包裝
同壹個芯片核可以有不同的封裝形式，因為芯片是固定的，引腳是紮的，可以根據需要做出不同的封裝形式。例如:迪普、QFP、PLCC、QFN等。，這主要取決於用戶的應用習慣、應用環境、市場形態等周邊因素。
7、測試和包裝
經過上述過程，芯片生產已經完成。這壹步是測試芯片，剔除不良品，封裝。