因為BJT是由半導體制成的，而這裏的半導體有兩個與溫度有關的參數:壹個是帶隙(壹般隨著溫度的升高而減小)；二是少數載流子濃度(隨溫度升高呈指數增長)。
擴展數據:
BJT的分類:
1，NPN類型:
NPN晶體管是兩種類型的雙極晶體管之壹，它由兩層N型摻雜區和它們之間的壹層P型摻雜半導體(基極)組成。輸入基極的小電流將被放大，從而產生大的集電極-發射極電流。當NPN晶體管的基極電壓高於發射極電壓且集電極電壓高於基極電壓時。
晶體管處於正向放大狀態。在這種狀態下，晶體管的集電極和發射極之間有電流。放大的電流是從發射極註入基極區的電子(基極區中的少數載流子)在電場的推動下漂移到集電極的結果。因為電子遷移率高於空穴遷移率，所以現在使用的大多數雙極晶體管是NPN型。
2.PNP類型:
另壹種類型的雙極晶體管是PNP型，它由兩層P型摻雜區和它們之間的壹層N型摻雜半導體組成。流過基極的微小電流可以在發射極放大。即當PNP晶體管的基極電壓低於發射極時，集電極電壓低於基極，晶體管處於正向放大區。
在雙極晶體管的電學符號中，基極和發射極之間的箭頭指向電流的方向，這裏的電流是電子流的反方向。與NPN型相反，PNP型晶體管的箭頭從發射極指向基極。
3.異質結雙極晶體管:是壹種改進的雙極晶體管，具有高速工作的能力。發現這種晶體管可以處理頻率高達幾百GHz的超高頻信號，因此適用於射頻功率放大、激光驅動等對工作速度要求嚴格的應用。
異質結是PN結的壹種，這種結的兩端由不同的半導體材料制成。在這種雙極晶體管中，發射極結通常采用異質結結構，即發射區采用寬帶隙材料，基區采用窄帶隙材料。普通異質結使用砷化鎵(GaAs)作為基極區，使用Al-Ga-As固溶體(AlxGa1-xAs)作為發射極區。
有了這樣的異質結，雙極晶體管的註入效率可以提高，電流增益也可以提高幾個數量級。
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